氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性，是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。

    目前氮化镓一个非常热门的应用就是取代硅芯片用于手机快充，氮化镓功率器件是普通硅基的数十倍功率特性比，同时有着更强的输出功率，和更小的体积。

    但氮化镓器件制备难度极高，也是目前产量较低、价格居高不下的主要原因。

    GaN和SiC芯片的产业链与硅芯片类似，主要分为晶圆衬底、外延、设计、制造和封装等环节，而不同于Si和SiC芯片，GaN的外延片通常用的是异质衬底，例如蓝宝石、碳化硅、硅等是氮化镓外延片主流的异质衬底材料。